Производитель Номер продукта:
S2M0040120D
Product Overview
Производитель:
SMC Diode Solutions
Номер детали:
S2M0040120D-DG
Описание:
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Подробное описание:
N-Channel 1200 V Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
221 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001582
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
S2M0040120D Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
SMC Diode Solutions
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
-
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
1655-S2M0040120D
-1765-S2M0040120D
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.10.0080
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMC035N10X1
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
AS2302
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
IQE013N04LM6CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
