Производитель Номер продукта:
2N6660
Product Overview
Производитель:
Solid State Inc.
Номер детали:
2N6660-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
Подробное описание:
N-Channel 60 V 1.1A (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Инвентаризация:
3575 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12974056
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2N6660 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Manufacturers
Упаковка
Box
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (макс.)
±40V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-39
Упаковка / Чехол
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10
Другие названия
2383-2N6660
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.10.0080
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PJF6NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
NTMFS4C822NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
NVBG015N065SC1
SIC MOS D2PAK-7L 650V
