2N2907AUB1
Производитель Номер продукта:

2N2907AUB1

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

2N2907AUB1-DG

Описание:

RAD-HARD 60 V, 0.6 A PNP TRANSIS
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 500 mA 1.8 W Surface Mount UB

Инвентаризация:

13265504
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

2N2907AUB1 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tray
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
50nA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Мощность - Макс
1.8 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
3-SMD, No Lead
Комплект устройства поставщика
UB

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1
Другие названия
497-2N2907AUB1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

2N2222AUB1

RAD-HARD 50 V, 0.8 A NPN TRANSIS

onsemi

NSV40301MZ4T3G

NPN 40V LOW SAT SOT223 BP

nexperia

BSR30-QF

BSR30-Q/SOT89/MPT3

nexperia

BCP53H-QX

BCP53H-Q/SOT223/SC-73