Производитель Номер продукта:
MJD122T4
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
MJD122T4-DG
Описание:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20 W Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
12873090
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MJD122T4 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Darlington
Ток - коллектор (IC) (макс.)
8 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
4V @ 80mA, 8A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Мощность - Макс
20 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект устройства поставщика
DPAK
Базовый номер продукта
MJD122
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
497-2469-6
497-2469-1-NDR
497-2469-2
497-2469-2-NDR
497-2469-1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
MJD122G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1748
Номер части
MJD122G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.37
Тип замещения
Direct
Номер детали
NJVMJD112G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
NJVMJD112G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.22
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
