Производитель Номер продукта:
NAND512R3A2BZA6E
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
NAND512R3A2BZA6E-DG
Описание:
IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
Подробное описание:
FLASH - NAND Memory IC 512Mbit Parallel 60 ns 63-VFBGA (8.5x15)
Инвентаризация:
8169542
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NAND512R3A2BZA6E Технические характеристики
Категория
Память, Память
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Программируемый DiGi-Electronics
Not Verified
Тип памяти
Non-Volatile
Формат памяти
FLASH
Технологии
FLASH - NAND
Объем памяти
512Mbit
Организация памяти
64M x 8
Интерфейс памяти
Parallel
Время цикла записи - Word, Page
60ns
Время доступа
60 ns
Напряжение - Питание
1.7V ~ 1.95V
Рабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
63-VFBGA
Комплект устройства поставщика
63-VFBGA (8.5x15)
Базовый номер продукта
NAND512
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,260
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A991B1A
ХИТСУС
8542.32.0071
Сертификация DIGI
Связанные продукты
M93C46-RDS6TG
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8TSSOP
M95512-RDW6P
IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
M95040-WMN6P
IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC