SCT027W65G3-4AG
Производитель Номер продукта:

SCT027W65G3-4AG

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

SCT027W65G3-4AG-DG

Описание:

TO247-4
Подробное описание:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-4

Инвентаризация:

13269636
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SCT027W65G3-4AG Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V, 18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
39.3mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.2V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
51 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1229 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
313W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-4
Упаковка / Чехол
TO-247-4

Дополнительная информация

Стандартный пакет
600
Другие названия
497-SCT027W65G3-4AG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

G1K1P06LH

MOSFET P-CH 60V 4.5A 3.1W SOT-2

onsemi

NTMFS0D9N04XLT1G

40V T10S IN S08FL PACKAGE

onsemi

NTMFS0D7N04XLT1G

40V T10S IN S08FL PACKAGE

onsemi

NTHL017N60S5H

SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247