Производитель Номер продукта:
SCT10N120
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
SCT10N120-DG
Описание:
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™
Инвентаризация:
12878188
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCT10N120 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
290 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
HiP247™
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCT10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
100
Другие названия
497-16597-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
MSC360SMA120B
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
138
Номер части
MSC360SMA120B-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.74
Тип замещения
Similar
Номер детали
G3R350MT12D
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
GeneSiC Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5904
Номер части
G3R350MT12D-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.97
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STL24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
STW15NM60N
MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
