Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SCT30N120
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
SCT30N120-DG
Описание:
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12873372
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCT30N120 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 1mA (Typ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1700 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
270W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
HiP247™
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCT30
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SCT30N120
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
497-14960
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
G3R75MT12J
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
GeneSiC Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4
Номер части
G3R75MT12J-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
10.37
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXFH50N85X
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1126
Номер части
IXFH50N85X-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
11.11
Тип замещения
Similar
Номер детали
MSC080SMA120B
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
143
Номер части
MSC080SMA120B-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
8.97
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STL65N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 65A POWERFLAT
STU8N80K5
MOSFET N-CH 800V 6A TO251
STW26N65DM2
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
STP10NK62ZFP
MOSFET