Производитель Номер продукта:
SCTH90N65G2V-7
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
SCTH90N65G2V-7-DG
Описание:
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Подробное описание:
N-Channel 650 V 90A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Инвентаризация:
92 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12880155
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCTH90N65G2V-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3300 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
330W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
H2PAK-7
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Базовый номер продукта
SCTH90
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
497-18352-6
497-18352-2
497-18352-1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STL11N4LLF5
MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
STF23N80K5
MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
STF10NM65N
MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
