Производитель Номер продукта:
SCTWA30N120
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
SCTWA30N120-DG
Описание:
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 45A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
Инвентаризация:
294 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12876463
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCTWA30N120 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1mA (Typ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1700 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
270W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
HiP247™ Long Leads
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCTWA30
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
-1138-SCTWA30N120
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STB200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
STL33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
STP2NK60Z
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
