Производитель Номер продукта:
SCTWA60N120G2-4
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
SCTWA60N120G2-4-DG
Описание:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-247-4
Инвентаризация:
345 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12964340
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCTWA60N120G2-4 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1969 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
388W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-4
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
497-SCTWA60N120G2-4
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7102DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
SSM3K62TU,LXHF
SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
SIHH26N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
