Производитель Номер продукта:
SGT120R65AL
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
SGT120R65AL-DG
Описание:
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Подробное описание:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Инвентаризация:
12 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12995342
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SGT120R65AL Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 5A, 6V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.6V @ 12mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3 nC @ 6 V
Vgs (макс.)
+6V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
125 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
192W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerFlat™ (5x6) HV
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
SGT120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
497-SGT120R65ALTR
497-SGT120R65ALCT
497-SGT120R65ALDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
