Производитель Номер продукта:
STB20NM60-1
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STB20NM60-1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 192W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
12871878
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STB20NM60-1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
MDmesh™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
290mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
192W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
STB20N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
497-5383-5
STB20NM60-1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP20NM60
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
927
Номер части
STP20NM60-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.07
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STD3NK60ZT4
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
STW29NK50Z
MOSFET N-CH 500V 31A TO247-3
SCT30N120H
SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
