Производитель Номер продукта:
STB25NM50N-1
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STB25NM50N-1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
12880472
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STB25NM50N-1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
MDmesh™ II
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
140mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2565 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
160W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
STB25N
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
-497-5729
497-5729
1805-STB25NM50N-1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPB50R140CPATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPB50R140CPATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.27
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STT3PF30L
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
STE40NK90ZD
MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP
BUK7M27-80EX
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
