Производитель Номер продукта:
STB33N60DM2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STB33N60DM2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
996 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12876248
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STB33N60DM2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ DM2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1870 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
190W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
STB33
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
497-16354-2
497-16354-1
497-16354-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STW16NK60Z
MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
STP85NF55
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
STH240N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
