Производитель Номер продукта:
STB35N60DM2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STB35N60DM2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12875164
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STB35N60DM2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ DM2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2400 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
210W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
STB35
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
497-16357-6
497-16357-1
497-16357-2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPB60R099CPATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1212
Номер части
IPB60R099CPATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.99
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STP10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
STP5NK50ZFP
MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220FP
STS5N15F4
MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
