STB37N60DM2AG
Производитель Номер продукта:

STB37N60DM2AG

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STB37N60DM2AG-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

12879172
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STB37N60DM2AG Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ DM2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2400 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
210W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
STB37

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
497-16105-6
497-16105-2
497-16105-1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STW14NM50FD

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

stmicroelectronics

STB70NFS03LT4

MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK

stmicroelectronics

STF14NM50N

MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP

stmicroelectronics

STU5N65M6

MOSFET N-CH 650V 4A IPAK