STB42N60M2-EP
Производитель Номер продукта:

STB42N60M2-EP

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STB42N60M2-EP-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 34A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

12880573
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STB42N60M2-EP Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ M2-EP
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
87mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.75V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2370 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
STB42

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
497-15896-2
497-15896-1
497-15896-6

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STD4NS25T4

MOSFET N-CH 250V 4A DPAK

stmicroelectronics

STB11NM60-1

MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK

stmicroelectronics

STB6N60M2

MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK

stmicroelectronics

STU16N65M2

MOSFET N-CH 650V 11A IPAK