Производитель Номер продукта:
STB6N65M2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STB6N65M2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12877379
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STB6N65M2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
MDmesh™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
226 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
60W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
STB6N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
-497-15047-6
497-15047-6
-497-15047-1
-497-15047-2
497-15047-1
497-15047-2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFA7N80P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
257
Номер части
IXFA7N80P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.67
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STW12N170K5
MOSFET N-CH 1700V 5A TO247
STP8NK80Z
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
STL23NM50N
MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8