Производитель Номер продукта:
STD10N60DM2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STD10N60DM2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 109W (Tc) Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
12875630
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STD10N60DM2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ DM2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
530mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
529 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
109W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
STD10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
497-16924-2
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STD95NH02LT4
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
STW32NM50N
MOSFET N CH 500V 22A TO-247
STP33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A TO220