Производитель Номер продукта:
STD3NK80Z-1
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STD3NK80Z-1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12878511
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STD3NK80Z-1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
SuperMESH™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
485 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
70W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251 (IPAK)
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
STD3NK80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
STD3NK80Z1
497-12557-5
-497-12557-5
STD3NK80Z-1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STD8N80K5
MOSFET N CH 800V 6A DPAK
STS12NH3LL
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
STB9NK50ZT4
MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
