Производитель Номер продукта:
STD8N60DM2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STD8N60DM2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
3630 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12948518
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STD8N60DM2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ DM2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
375 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
85W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
STD8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
497-16930-2
497-16930-1
497-16930-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STB22N60M6
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
SCTWA90N65G2V-4
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
SCTL35N65G2V
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
