Производитель Номер продукта:
STF7N60DM2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STF7N60DM2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
Подробное описание:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Инвентаризация:
1994 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12879313
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STF7N60DM2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ DM2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.75V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
324 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
STF7
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
497-STF7N60DM2TR
497-STF7N60DM2CT
STF7N60DM2-DG
497-STF7N60DM2DKRINACTIVE
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STP16N50M2
MOSFET N-CH 500V 13A TO220
STW9NK90Z
MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
STW34N65M5
MOSFET N-CH 650V 28A TO247
