Производитель Номер продукта:
STF9HN65M2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STF9HN65M2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP
Подробное описание:
N-Channel 650 V 5.5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
Инвентаризация:
12 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12873110
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STF9HN65M2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ M2
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
820mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
325 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
20W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
STF9
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
497-16014-5
-497-16014-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPA60R650CEXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
383
Номер части
IPA60R650CEXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.42
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STL8P4LLF6
MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
PHU78NQ03LT,127
MOSFET N-CH 25V 75A IPAK
STH270N8F7-2
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
