Производитель Номер продукта:
STFI260N6F6
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STFI260N6F6-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
Подробное описание:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 41.7W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Инвентаризация:
297 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12873501
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STFI260N6F6 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
DeepGATE™, STripFET™ VI
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
41.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAKFP (TO-281)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Базовый номер продукта
STFI260N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
-497-14194-5
497-14194-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STV300NH02L
MOSFET N-CH 24V 200A 10POWERSO
STB5N80K5
MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
STH265N6F6-6AG
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
