STH110N7F6-2
Производитель Номер продукта:

STH110N7F6-2

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STH110N7F6-2-DG

Описание:

MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Подробное описание:
N-Channel 68 V 80A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount H2PAK-2

Инвентаризация:

12948099
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STH110N7F6-2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
STripFET™ F6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
68 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5850 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
176W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
H2PAK-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
STH110

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRFIB8N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3

onsemi

NTP011N15MC

MOSFET N-CH 150V 9.8/74.3A TO220

onsemi

FDBL9406-F085T6

MOSFET N-CH 40V 45A/240A 8HPSOF

onsemi

NVH4L040N65S3F

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4