Производитель Номер продукта:
STH260N6F6-6
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STH260N6F6-6-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Подробное описание:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Инвентаризация:
12877686
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STH260N6F6-6 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
DeepGATE™, STripFET™ VI
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11800 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
300W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
H2PAK-6
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
STH260
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
STH260N6F6-6-DG
497-15144-1
497-15144-2
497-15144-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPB017N06N3GATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
9000
Номер части
IPB017N06N3GATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.54
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STL17N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
STW37N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
STF34NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP
