Производитель Номер продукта:
STH30N65DM6-7AG
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STH30N65DM6-7AG-DG
Описание:
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Подробное описание:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 223W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Инвентаризация:
235 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12993145
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STH30N65DM6-7AG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ DM2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
115mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.75V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
223W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
H2PAK-7
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
497-STH30N65DM6-7AGCT
497-STH30N65DM6-7AGDKR
497-STH30N65DM6-7AGTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR578DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
SI8810-TP
Interface
2N7002-13P
Interface
