Производитель Номер продукта:
STI18N65M2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STI18N65M2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
229 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12876872
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STI18N65M2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ M2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
330mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
770 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
110W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
STI18
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
-1138-STI18N65M2
497-15550-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STD1HNC60T4
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
STL7N80K5
MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
STF34NM60N
MOSFET N-CH 600V 31.5A TO220FP
