Производитель Номер продукта:
STI23NM60ND
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STI23NM60ND-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 19.5A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 19.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
12872056
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STI23NM60ND Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
FDmesh™ II
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2050 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
STI23N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STB25NM60N
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
STB100NF03L-03-1
MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
STU10NM65N
MOSFET N-CH 650V 9A IPAK