Производитель Номер продукта:
STI26NM60N
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STI26NM60N-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 140W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
942 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12876631
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STI26NM60N Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ II
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
165mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1800 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
140W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
STI26N
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
497-12261
-497-12261
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPI60R190C6XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
495
Номер части
IPI60R190C6XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.43
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STF8NM60ND
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
IRF640FP
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
STS5PF30L
MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
