STI47N60DM6AG
Производитель Номер продукта:

STI47N60DM6AG

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STI47N60DM6AG-DG

Описание:

POWER TRANSISTORS
Подробное описание:
N-Channel 600 V 36A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Инвентаризация:

40 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12873555
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STI47N60DM6AG Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ DM6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
80mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.75V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2350 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
STI47

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STI11NM80

MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK

nexperia

BUK9214-30A,118

MOSFET N-CH 30V 63A DPAK

stmicroelectronics

STP5NK90Z

MOSFET N-CH 900V 4.5A TO220AB

stmicroelectronics

STP15N65M5

MOSFET N CH 650V 11A TO220