Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
STI57N65M5
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STI57N65M5-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 42A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12876031
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STI57N65M5 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
MDmesh™ V
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
63mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4200 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
STI57N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
STx57N65M5
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
-497-13107-5
497-13107-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STW58N65DM2AG
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STW58N65DM2AG-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
7.29
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STL160N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
STFU28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
STP14NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220FP
STW75N20
MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3