Производитель Номер продукта:
STI6N80K5
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STI6N80K5-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Инвентаризация:
12881221
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STI6N80K5 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
SuperMESH5™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
255 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
85W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
STI6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
497-15017-5
-497-15017-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFBE20S
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
IRF9640S
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
STU4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
