Производитель Номер продукта:
STL18NM60N
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STL18NM60N-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
Подробное описание:
N-Channel 600 V 2.1A (Ta), 12A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Инвентаризация:
2686 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12872789
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STL18NM60N Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
MDmesh™ II
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.1A (Ta), 12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
310mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerFlat™ (8x8) HV
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
STL18
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
-497-11847-6
-497-11847-2
497-11847-2
497-11847-1
497-11847-6
-497-11847-1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STF20N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
STD13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STD3NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
