Производитель Номер продукта:
STL19N60DM2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STL19N60DM2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Подробное описание:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Инвентаризация:
99 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12880502
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STL19N60DM2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
MDmesh™ DM2
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
320mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
90W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerFlat™ (8x8) HV
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
STL19
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
-1138-STL19N60DM2CT
497-16361-6
-1138-STL19N60DM2DKR
497-16361-1
497-16361-2
-1138-STL19N60DM2TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STB13N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2210
Номер части
STB13N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.86
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STFI10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
STD80N3LL
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
IRF620
MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
