Производитель Номер продукта:
STL19N65M5
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STL19N65M5-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
Подробное описание:
N-Channel 650 V 2.3A (Ta), 12.5A (Tc) 2.8W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Инвентаризация:
2408 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12876977
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STL19N65M5 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
MDmesh™ V
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1240 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 90W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerFlat™ (8x8) HV
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
STL19
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
497-14538-6
-497-14538-1
-497-14538-2
497-14538-2
497-14538-1
STL19N65M5-DG
-497-14538-6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STB18NM80
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STB18NM80-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.07
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STB25NF06AG
MOSFET N-CH 60V 19A D2PAK
STF8N80K5
N-channel 800 V, 0.8 Ohm typ., 6
STL20NF06LAG
MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
