Производитель Номер продукта:
STL3N65M2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STL3N65M2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Подробное описание:
N-Channel 650 V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Инвентаризация:
4759 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12875476
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STL3N65M2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ M2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
155 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
22W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
STL3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
497-18738-6
497-18738-2
497-18738-1
STL3N65M2-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STH320N4F6-6
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
STH290N4F6-2AG
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
STP33N60M6
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
