STL3NM60N
Производитель Номер продукта:

STL3NM60N

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STL3NM60N-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Подробное описание:
N-Channel 600 V 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 2W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)

Инвентаризация:

8766 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12876090
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STL3NM60N Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ II
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
188 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 22W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Базовый номер продукта
STL3NM60

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
497-13351-2

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nxp-semiconductors

PHB174NQ04LT,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

stmicroelectronics

STI200N6F3

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

stmicroelectronics

STD30PF03L-1

MOSFET P-CH 30V 24A IPAK

stmicroelectronics

STWA70N60DM2

MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247