Производитель Номер продукта:
STO65N60DM6
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STO65N60DM6-DG
Описание:
N-CHANNEL 600 V, 67 MOHM TYP., 4
Подробное описание:
N-Channel 600 V 46A (Tc) 320W (Tc) Surface Mount TOLL (HV)
Инвентаризация:
1800 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12959068
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STO65N60DM6 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
MDmesh™ DM6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
76mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.75V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
65.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2500 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
320W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TOLL (HV)
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,800
Другие названия
497-STO65N60DM6TR
497-STO65N60DM6CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPTG111N20NM3FDATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
SIR450DP-T1-RE3
N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
SUM90100E-GE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
