Производитель Номер продукта:
STP100N8F6
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP100N8F6-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Подробное описание:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
40612 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12876399
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP100N8F6 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
STripFET™ F6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5955 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
176W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
497-15553-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STP65NF06
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
STY145N65M5
MOSFET N-CH 650V 138A MAX247
STP11NM60FD
MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB