STP10N60M2
Производитель Номер продукта:

STP10N60M2

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STP10N60M2-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220

Инвентаризация:

990 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12878602
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STP10N60M2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ II Plus
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
400 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
85W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP10

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
497-13970-5
-497-13970-5
STP10N60M2-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STP220N6F7

MOSFET N-CH 60V 120A TO220

stmicroelectronics

STF13NM60ND

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

stmicroelectronics

STP19NF20

MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB

stmicroelectronics

STW30N80K5

MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3