Производитель Номер продукта:
STP14NM65N
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP14NM65N-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
12879225
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP14NM65N Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
MDmesh™ II
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP14N
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
-497-7024-5
1805-STP14NM65N
497-7024-5
1026-STP14NM65N
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP60R380E6XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPP60R380E6XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.13
Тип замещения
Similar
Номер детали
TK10E60W,S1VX
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
30
Номер части
TK10E60W,S1VX-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.31
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STP7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
STF15NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
STB6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
