STP18NM60N
Производитель Номер продукта:

STP18NM60N

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STP18NM60N-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

Инвентаризация:

375 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12876683
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STP18NM60N Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ II
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
285mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
110W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP18

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
497-10305-5
-497-10305-5

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STW14NK60Z

MOSFET N-CH 600V 13.5A TO247-3

stmicroelectronics

STB70NF03L-1

MOSFET N-CH 30V 70A I2PAK

stmicroelectronics

STP10NM60N

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

stmicroelectronics

STH410N4F7-2AG

MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2