Производитель Номер продукта:
STP35N65DM2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP35N65DM2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Подробное описание:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
12876724
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP35N65DM2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ DM2
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2540 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP35
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STW35N65DM2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
360
Номер части
STW35N65DM2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.01
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
FCP130N60
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
127
Номер части
FCP130N60-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.72
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STP80NF06
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
STF26NM60N-H
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
STW6N95K5
MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3
