Производитель Номер продукта:
STP36N60M6
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP36N60M6-DG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
96 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12879295
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP36N60M6 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ M6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.75V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1960 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP36
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
-1138-STP36N60M6
497-17552
2266-STP36N60M6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STWA65N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
STI5N52U
MOSFET N-CH 525V 4.4A I2PAK
STP10N105K5
MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
