Производитель Номер продукта:
STP3NB100
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP3NB100-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
12877206
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP3NB100 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
PowerMESH™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
700 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP3N
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
497-2641-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTP2N100
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXTP2N100-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.24
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXTP2N100P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
136
Номер части
IXTP2N100P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.49
Тип замещения
Similar
Номер детали
STP5NK100Z
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3779
Номер части
STP5NK100Z-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.69
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STI10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
STD4NK50Z-1
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
STFW12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A ISOWATT
