Производитель Номер продукта:
STP4NB100
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP4NB100-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 3.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
12878891
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP4NB100 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
PowerMESH™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP4N
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
497-2647-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFBG30PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4495
Номер части
IRFBG30PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.02
Тип замещения
Similar
Номер детали
IXTP3N100P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
273
Номер части
IXTP3N100P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.08
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STH310N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
STH270N4F3-6
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
STS13N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
