Производитель Номер продукта:
STP50N60DM6
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP50N60DM6-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 36A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 36A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
733 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12943402
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP50N60DM6 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ DM6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
80mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.75V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2350 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
497-STP50N60DM6
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STN6N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
STO67N60DM6
MOSFET N-CH 600V 33A TOLL
STO67N60M6
MOSFET N-CH 600V 34A TOLL
