Производитель Номер продукта:
STP5N120
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STP5N120-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
12877104
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STP5N120 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
SuperMESH™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
120 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
160W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP5N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
STP5N120-DG
497-8811-5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFP6N120P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
171
Номер части
IXFP6N120P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.19
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STR2P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
STL16N65M2
MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
STP33N60DM2
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
